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MOSFET : esercizi risolti


Esercizio 1

Nel circuito, l'NMOS ad arricchimento, sta funzionando in zona attiva con
VDD=12 V
VDS=6 V
VGS=4 V
ID=2 mA
R1+R2=6MΩ
Determinare:
RD=?
R1=?
R2=?   
    
     
[ R1=4 MΩ | R2= 2MΩ | RD=3 kΩ ]

Esercizio 2

Nel circuito di un NMOS ad arricchimento con una rete di polarizzazione identica a quella dell'esercizio precedente si ha
VDD=18 V
ID=5 mA
K=0,3 mA/V2
VT=3,5 V
Dimensionare le tre resistenze da collegare al transistor.

Esercizio 3

Un NMOS ad arricchimento è polarizzato con una rete identica ai due esercizi precedenti con:
VDD=18 V
K=0,3 mA/V2
VT=3 V
R1=6 MΩ
R2=4 MΩ
RD=2,7 kΩ
Calcolare il punto di lavoro .   
    
[ ID=3,07 mA | VDS=9,71 V ]

Esercizio 4

Nel circuito disegnato, si ha:
VDD=12 V
VDS=6 V
VGS=6 V
ID=2 mA
R1=5 MΩ
Calcola RD.
    
    
  
  
   
[ RD=3 kΩ ]

Esercizio 5

Un NMOS è polarizzato secondo lo schema illustrato
VDD=18 V
R1=5,6 kΩ
R2=4,7 kΩ
RD=2,2 kΩ
RS=1,2 kΩ
K=0,4mA/V2
VT=3 V
Calcolare il punto di lavoro
    
   
   
      
 [ ID=2,33 mA | VDS=10 V ]

Esercizio 6

Nel circuito un NMOS ad arricchimento, deve azionare un relè caratterizzato da una resistenza di avvolgimento RL=100Ω .
Determinare i valori di Vi adatti ad eccitare e diseccitare il relè sapendo che i parametri nel circuito sono:
VDD=10 V
VT=3V
ID(on)=1,7 A
VGS=10V
rD(on)=2 Ω .   

Esercizio 7


Nel circuito disegnato si utilizza un NMOS ad arricchimento caratterizzato da VT=3 V ID(on)=18mA per VGS=10V.
Dimensionare le resistenze in modo che il transitor lavori con ID=4mA e VDS=6V.
Su RS imporre una caduta di tensione VRS=2V .